CMP

主要用于对多种材料晶片(SiC、GaN、Sapphire…)、部件等的大批量研磨减薄、抛光工艺，主要分为：硅研磨(Poly)、硅氧化物研磨(Silicon oxide )、碳化硅研磨（Silicon carbide）、钨研磨(W )和铜研磨(Cu）。

商品名称： CMP

产品描述

摘要说明

设备特性

–通过化学机械研磨方式进行晶圆减薄/平坦化，可适用多种类基底

–纳米可控研磨，纳米级到原子级的表面粗糙度 –单研磨盘、研磨头设计，整机小巧，工艺一致性好

技术参数

工艺项目	工艺规格	量测方法
均匀性NU	4寸Wafer<=4%	1 sigma[std/average]，13pts，5mmEE(具体与PAD及Slurry相关)
	6寸Wafer<=5%
	8寸Wafer<=5%
OX去除速率	≥50nm/min
Wafer to Wafer 一致性	≤3%

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